nand flash 文章進(jìn)入nand flash技術(shù)社區(qū)

SK 海力士新設(shè) AI 芯片開發(fā)和量產(chǎn)部門，任命首席開發(fā)官及首席生產(chǎn)官

12 月 5 日消息，據(jù) Businesses Korea 今日報道，SK 海力士今日宣布完成 2025 年的高管任命和組織架構(gòu)優(yōu)化。本次調(diào)整任命了 1 位總裁、33 位新高管及 2 位研究員。為提升決策效率，該公司推行“C-Level”管理體系，依據(jù)核心職能分工明確責(zé)任與權(quán)限，業(yè)務(wù)單元被劃分為包括 AI 基礎(chǔ)設(shè)施（CMO）、未來技術(shù)研究院（CTO）、研發(fā)（CDO）和生產(chǎn)（CPO）在內(nèi)的五大部門。據(jù)介紹，新設(shè)的 AI 芯片開發(fā)部門整合了 DRAM、NAND 和解決方案的開發(fā)能力，著眼于下一代 AI 內(nèi)存等
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3Q24 NAND Flash營收季增4.8%，企業(yè)級SSD需求強(qiáng)勁，消費性訂單未復(fù)蘇

根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，2024年第三季NAND Flash產(chǎn)業(yè)出貨量位元季減2%，但平均銷售單價（ASP）上漲7%，帶動產(chǎn)業(yè)整體營收達(dá)176億美元，季增4.8%。TrendForce集邦咨詢表示，不同應(yīng)用領(lǐng)域的NAND Flash價格走勢在今年第三季出現(xiàn)分化，企業(yè)級SSD需求強(qiáng)勁，推升價格季增近15%，消費級SSD價格雖有小幅上漲，但訂單需求較前一季衰退。智能手機(jī)用產(chǎn)品因中國手機(jī)品牌嚴(yán)守低庫存策略，訂單大量減少，第三季合約價幾乎與上季持平。Wafer受零售市場需求疲軟影響，合約價反
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三星大幅減少未來生產(chǎn)NAND所需光刻膠使用量

據(jù)韓媒報道，稱三星電子在生產(chǎn) 3D NAND 閃存方面取得重大突破，在其中光刻工藝中大幅縮減光刻膠（PR）用量，降幅達(dá)到此前用量的一半。報道稱，此前每層涂層需要7-8cc的光刻膠，而三星通過精確控制涂布機(jī)的轉(zhuǎn)速（rpm）以及優(yōu)化PR涂層后的蝕刻工藝，現(xiàn)在只需4-4.5cc。此外，三星使用了更厚的氟化氪（KrF）光刻膠，通常情況下一次工藝形成1層涂層，而使用更厚的光刻膠，三星可以一次形成多個層，從而提高工藝效率，但同時也有均勻性問題。東進(jìn)半導(dǎo)體一直是三星KrF光刻膠的獨家供應(yīng)商，為三星第7代（11微米）和第
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兆易創(chuàng)新GD25/55全系列車規(guī)級SPI NOR Flash榮獲ISO 26262 ASIL D功能安全認(rèn)證證書

業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice近日宣布，旗下GD25/55全系列車規(guī)級SPI NOR Flash獲得由國際公認(rèn)的測試、檢驗和認(rèn)證機(jī)構(gòu)SGS授予的ISO 26262:2018 ASIL D汽車功能安全認(rèn)證證書。這一成就不僅有力印證了GD25/55全系列車規(guī)級SPI NOR Flash在嚴(yán)苛汽車應(yīng)用場景中的卓越安全性能和可靠性，也進(jìn)一步鞏固了公司在SPI NOR Flash領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。隨著汽車電子電氣組件數(shù)量的指數(shù)級增長，其安全性需求日益凸顯。ISO 26262作為國際權(quán)威汽車功能
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三星將出售西安芯片廠舊設(shè)備及產(chǎn)線

據(jù)韓媒報道，三星近期將開始銷售前端和后端生產(chǎn)線的舊設(shè)備，其中包括位于中國西安的NAND工廠。報道稱，三星近期正在半導(dǎo)體部門（DS）實施大規(guī)模成本削減和產(chǎn)線調(diào)整，并正在考慮出售其中國半導(dǎo)體生產(chǎn)線的舊設(shè)備。預(yù)計出售程序?qū)⒂诿髂暾介_始，銷售的設(shè)備大部分是100級3D NAND設(shè)備。自去年以來，三星電子一直致力于將其西安工廠的工藝轉(zhuǎn)換為200層工藝。
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消息稱三星下代 400+ 層 V-NAND 2026 年推出，0a DRAM 采用 VCT 結(jié)構(gòu)

10 月 29 日消息，《韓國經(jīng)濟(jì)日報》當(dāng)?shù)貢r間昨日表示，根據(jù)其掌握的最新三星半導(dǎo)體存儲路線圖，三星電子將于 2026 年推出的下代 V-NAND 堆疊層數(shù)超過 400，而預(yù)計于 2027 年推出的 0a nm DRAM 則將采用 VCT 結(jié)構(gòu)。三星目前最先進(jìn)的 NAND 和 DRAM 工藝分別為第 9 代 V-NAND 和 1b nm（12 納米級）DRAM。報道表示三星第 10 代（即下代） V-NAND 將被命名為 BV（Bonding Vertical） NAND，這是因為這代產(chǎn)品將調(diào)
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TrendForce：預(yù)計 Q4 NAND Flash 合約價將下調(diào) 3% 至 8%

IT之家?10 月 15 日消息，根據(jù) TrendForce 集邦咨詢最新調(diào)查，NAND Flash 產(chǎn)品受 2024 年下半年旺季不旺影響，wafer 合約價于第三季率先下跌，預(yù)期第四季跌幅將擴(kuò)大至 10% 以上。IT之家注意到，模組產(chǎn)品部分，除了 Enterprise SSD 因訂單動能支撐，有望于第四季小漲 0% 至 5%；PC SSD 及 UFS 因買家的終端產(chǎn)品銷售不如預(yù)期，采購策略更加保守。TrendForce 預(yù)估，第四季 NAND Flash 產(chǎn)品整體合約價將出現(xiàn)季減 3% 至
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三星電子開發(fā)出其首款基于第八代V-NAND的車載SSD

三星電子今日宣布成功開發(fā)其首款基于第八代V-NAND技術(shù)的PCIe 4.0車載SSD。三星新款A(yù)M9C1車載SSD憑借行業(yè)前沿的速度和更高的可靠性，成為適配車載應(yīng)用端側(cè)人工智能功能的解決方案。三星新款256GB AM9C1車載SSD相比前代產(chǎn)品AM991，能效提高約50%，順序讀寫速度分別高達(dá)4,400MB/s和400MB/s。三星半導(dǎo)體基于第八代V-NAND技術(shù)的車載SSD AM9C1三星電子副總裁兼存儲器事業(yè)部汽車業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人Hyunduk Cho表示：“我們正在與全球自動駕駛汽車廠商合作，為這些企業(yè)提
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三星首款！第八代V-NAND車載SSD發(fā)布：讀取4400MB/s

9月24日消息，今日，三星電子宣布成功開發(fā)其首款基于第八代V-NAND 技術(shù)的PCIe 4.0車載SSD——AM9C1。相比前代產(chǎn)品AM991，AM9C1能效提高約50%，順序讀寫速度分別高達(dá)4400MB/s和400MB/s。三星表示，AM9C1能滿足汽車半導(dǎo)體質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q1003的2級溫度測試標(biāo)準(zhǔn)，在-40°C至105°C寬幅的溫度范圍內(nèi)能保持穩(wěn)定運行。據(jù)介紹，AM9C1采用三星5nm主控，用戶可將TLC狀態(tài)切換至SLC模式，以此大幅提升讀寫速度。其中，讀取速度高達(dá)4700MB/s，寫入速度高達(dá)1
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2024二季度NAND Flash出貨增長放緩，AI SSD推動營收季增14%

根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，由于Server（服務(wù)器）終端庫存調(diào)整接近尾聲，加上AI推動了大容量存儲產(chǎn)品需求，2024年第二季NAND Flash（閃存）價格持續(xù)上漲，但因為PC和智能手機(jī)廠商庫存偏高，導(dǎo)致第二季NAND Flash位元出貨量季減1%，平均銷售單價上漲了15%，總營收達(dá)167.96億美元，較前一季增長了14.2%。第二季起所有NAND Flash供應(yīng)商已恢復(fù)盈利狀態(tài)，并計劃在第三季擴(kuò)大產(chǎn)能，以滿足AI和服務(wù)器的強(qiáng)勁需求，但由于PC和智能手機(jī)今年上半年市場表現(xiàn)不佳，
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TrendForce：今年 Q2 NAND 閃存出貨增長放緩，AI SSD 推動營收環(huán)比增長 14%

IT之家 9 月 9 日消息，TrendForce 集邦咨詢今天下午發(fā)布報告指出，由于服務(wù)器終端庫存調(diào)整接近尾聲，加上 AI 推動了大容量存儲產(chǎn)品需求，今年第二季度 NAND Flash（閃存）價格持續(xù)上漲。但由于 PC 和智能手機(jī)廠商庫存偏高，導(dǎo)致 Q2 NAND Flash 位元出貨量環(huán)比下降 1%，平均銷售單價上漲了 15%，總營收達(dá) 167.96 億美元（IT之家備注：當(dāng)前約 1193.37 億元人民幣），較前一季實現(xiàn)環(huán)比增長 14.2%。各廠商營收情況如下：三星：第二季時積極回應(yīng)客戶對
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第八代BiCS FLASH厲害在哪里？

第八代BiCS FLASH已然投入量產(chǎn)，意味著基于BiCS FLASH的產(chǎn)品也將得到新一輪升級。全新的BiCS FLASH無論在存儲密度、性能都有了顯著提升，特別是2Tb QLC NAND是當(dāng)下業(yè)界內(nèi)最大容量的存儲器。為了讓第八代BiCS FLASH突破存儲限制，鎧俠通過專有工藝和創(chuàng)新架構(gòu)，實現(xiàn)了存儲芯片的縱向和橫向縮放平衡，所開發(fā)的CBA（CMOS directly Bonded to Array，外圍電路直接鍵合到存儲陣列）和3.6Gbps接口速度，給AI應(yīng)用、數(shù)據(jù)中心、移動設(shè)備提供了更多潛在可能。技
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消息稱三星電子確認(rèn)平澤 P4 工廠 1c nm DRAM 內(nèi)存產(chǎn)線投資，目標(biāo)明年 6 月投運

IT之家 8 月 12 日消息，韓媒 ETNews 報道稱，三星電子內(nèi)部已確認(rèn)在平澤 P4 工廠建設(shè) 1c nm DRAM 內(nèi)存產(chǎn)線的投資計劃，該產(chǎn)線目標(biāo)明年 6 月投入運營。平澤 P4 是一座綜合性半導(dǎo)體生產(chǎn)中心，分為四期。在早前規(guī)劃中，一期為 NAND 閃存，二期為邏輯代工，三期、四期為 DRAM 內(nèi)存。三星已在 P4 一期導(dǎo)入 DRAM 生產(chǎn)設(shè)備，但擱置了二期建設(shè)。而 1c nm DRAM 是第六代 20~10 nm 級內(nèi)存工藝，各家的 1c nm（或?qū)?yīng)的 1γ nm）產(chǎn)品目前均尚未正式
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1000層3D NAND Flash時代即將到來

Lam Research 推出低溫蝕刻新技術(shù)，為 1000 層 3D NAND 鋪平道路。
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存儲亮劍！NAND技術(shù)多點突破

人工智能（AI）市場持續(xù)火熱，新興應(yīng)用對存儲芯片DRAM和NAND需求飆升的同時，也提出了新的要求。近日恰逢全球存儲會議FMS 2024（the Future of Memory and Storage）舉行，諸多存儲領(lǐng)域議題與前沿技術(shù)悉數(shù)亮相。其中TrendForce集邦咨詢四位資深分析師針對HBM、NAND、服務(wù)器等議題展開了深度討論，廓清存儲行業(yè)未來發(fā)展方向。此外，大會現(xiàn)場，NVM Express組織在會中發(fā)布了 NVMe 2.1 規(guī)范，進(jìn)一步統(tǒng)一存儲架構(gòu)、簡化開發(fā)流程。另外包括Kioxia
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nand flash介紹

　Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。　　NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行，如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細(xì) ]